Исследование фотоструктурных превращений в пленках As$_{2}$S$_{3}$ методом фотоиндуцированного парамагнитного резонанса

Исследование пленок As$_{2}$S$_{3}$ методом фотоиндуцированного парамагнитного резонанса показало, что предварительное облучение, вызывающее фотоструктурные превращения, сопровождается значительным увеличением сигнала фотоЭПР и изменением его спектра. Этот факт связывается с появлением новых парамагнитных дефектов. Детальный анализ полученных спектров фотоЭПР позволил выделить 4 типа парамагнитных дефектов, присутствующих в исследуемых пленках. На основании полученных данных предложен возможный механизм фотоструктурных превращений в пленках As$_{2}$S$_{3}$.