Фотоинжекция водорода в гетероструктуре VO$_{2}{-}$WO$_{3}$

Предложен новый способ инжекции водорода в VO$_{2}$. Инжекция водорода в VO$_{2}$ достигается при помощи гетероструктуры VO$_{2}{-}$WO$_{3}$. Водород первоначально инжектируется в WO$_{3}$ в результате отщепления под действием света от молекул органических соединений, адсорбированных на поверхности гетероструктуры, а затем под действием поля гетероперехода перетекает в VO$_{2}$.
При инжекции водорода в VO$_{2}$ происходит изменение параметров фазового перехода. При высоких уровнях инжекции реализуется переход в металлическое состояние при комнатной температуре. Отсутствие заметного структурного разупорядочения при инжекции водорода свидетельствует в пользу моттовскои модели перехода полупроводник–металл в VO$_{2}$.