Образование микродефектов при росте монокристаллов кремния

Исследована роль примесей в зарождении микродефектов при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния. Показано, что центром образования микродефектов в высокочистых монокристаллах кремния являются электрически нейтральные примеси углерода и кислорода. Рассмотрены пути диффузии точечных дефектов, играющей основную роль в развитии и преобразовании микродефектов. Предложена модель зарождения и последующего развития микродефектов в зависимости от температурных условий роста монокристаллов.