Влияние глубоких примесей на фотоэлектрические явления в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$

Экспериментальное исследование стационарной примесной фотоэдс в широкозонных фоточувствительных кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$ однозначно указывает на существование барьера Шоттки на контакте кристалл–электрод. Определяющую роль в образовании пространственного заряда обедненной области играют глубокие примесные центры, отвечающие за оптическое поглощение в области ${2.3\div3.1}$ эВ. Механизм примесной фотоэдс, а также кинетика переходного фототока обратносмещенного контакта обусловлены участием указанных центров в двойных оптических переходах. Теоретический анализ полученных данных позволил определить концентрацию ${N_{T}=(1.5\pm0.5)\cdot10^{19}\,\text{см}^{-1}}$ и сечение фотоионизации глубоких примесей. Также оценено критическое значение напряженности электрического поля барьера (${\mathcal{E}_{\text{кр}}=(1\div2)\cdot10^{6}\,\text{В}\cdot\text{см}^{-1}}$), вызывающее резкое увеличение тока через контакт.