Оптическая ориентация глубоких примесных центров в полупроводниках

В рамках модели Кейна рассмотрено явление оптической ориентации глубоких примесных центров в полупроводниках. Показано, что степень ориентации примесных электронных состояний, возникающая при облучении циркулярно-поляризованным светом, существенно зависит от частоты поглощаемого света. Эта зависимость обусловлена «смешиванием» зонных состояний, что характерно для полупроводниковых кристаллов, описываемых моделью Кейна. Для состояний глубокого центра, сформированных из состояний зоны проводимости и зоны легких дырок («$l{-}c$»-центр), степень ориентации может достигать 100% при некотором значении энергии поглощаемого кванта и положении примесного уровня в запрещенной зоне.