Фотогальванопьезомагнитный эффект в неоднородно-деформированном германии

Теоретически и экспериментально исследована эффективность преобразования световой энергии в электрическую на основе фотогальванопьезомагнитного эффекта. Показано, что КПД преобразования в области сильных магнитных полей может достигать значений ${\eta=\Delta\varepsilon_{g}/\varepsilon}$, где $\Delta\varepsilon_{g}$ — изменение ширины запрещенной зоны полупроводника, а $\varepsilon$ — энергия поглощенного фотона. Максимальное значение $\eta$, полученное экспериментально в неоднородно-сжатом Ge, составило 12%.