Диэлектрические свойства кристаллов Sn$_{2}$P$_{2}$S$_{6}$

Проведено исследование температурно-частотных зависимостей комплексной диэлектрической проницаемости ${\varepsilon^{*}=\varepsilon'-i\varepsilon''}$ кристаллов Sn$_{2}$P$_{2}$S$_{6}$ в частотном диапазоне ${10^{2}{-}4.3\cdot10^{10}}$ Гц. Обнаружено три области дисперсии $\varepsilon^{*}$: низкочастотная до $2\cdot10^{5}$, пьезорезонансная $10^{5}{-}10^{6}$ и высокочастотная $10^{7}{-}10^{10}$ Гц. Предлагаются возможные механизмы дисперсии. Показано, что вклад мягкой моды в статическую диэлектрическую проницаемость $\varepsilon'$ вблизи $T_{c}$ составляет не более 3%. Предполагается, что основной вклад в $\varepsilon'$ обусловлен ориентационной поляризацией дефектов. Делается вывод о существенном влиянии дефектов на сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах Sn$_{2}$P$_{2}$S$_{6}$.