Фотоиндуцируемые ИК излучением точечные дефекты в монокристаллах CdS

Исследованы необратимые структурные изменения в кристаллах CdS под действием лазерного излучения с энергией квантов, недостаточной для возбуждения электронных переходов типа зона–зона, зона–примесь. На основании изучения спектров низкотемпературной люминесценции установлено, что под действием непрерывного ИК излучения (10.6 мкм) в приповерхностных слоях кристалла в зоне входа и выхода лазерного пучка происходит накопление атомов межузельного кадмия.
Наблюдаемые структурные изменения имеют нетепловую природу, и, как предполагается, могут быть связаны либо с объемной генерацией дефектов вблизи исходных искажений кристаллической структуры, сопровождающейся их миграцией на поверхность кристалла, либо же с рассасыванием межузельных атомов Cd.. из скоплений, имеющихся в исходных кристаллах. Не исключена возможность совместного проявления этих процессов. Предполагается, что миграция дефектов усиливается фононными потоками, направленными из объема облучаемой зоны кристалла к поверхностям. По аналогии с многофотонной диссоциацией молекул в газах в ИК поле предложен механизм генерации точечных дефектов.