Сегнетоэлектрическая динамика кристаллов CsH$_{2}$PO$_{4}$

Путем измерения диэлектрических спектров в диапазоне субмиллиметровых волн определено поведение параметров сегнетоэлектрического возбуждения в кристалле CsH$_{2}$PO$_{4}$ в интервале температур ${150\div300}$ K. Показано, что характерная частота релаксационной мягкой моды обнаруживает существенно нелинейную температурную зависимость, которая может быть описана в рамках модели Изинга.