Возникновение знакопеременного объемного заряда в кристалле в процессе экранирования внешнего поля

Впервые в пространственно-однородных условиях опыта наблюдалось образование знакопеременного объемного заряда при экранировании электрического поля в высокоомном фотопроводнике Bi$_{12}$GeO$_{20}$ после предварительного оптического возбуждения электронной системы. Теоретический расчет воспроизводит динамику поля и заряда при термо- и фотоионизации ловушек.