Применение энергоанализа в методе внешнего фотоэффекта при дифракции рентгеновских лучей

С помощью пропорционального газового счетчика в условиях дифракции рентгеновского излучения Cu$K_{\alpha}$ на кристаллах кремния с напыленными аморфными слоями исследовался выход $K$-фотоэлектронов, относящихся к разным частям амплитудного спектра. Имея энергетическое разрешение 20%, удается изменять толщину зондируемого слоя в 2$-$3 раза. Исследована функция вероятности выхода электрона из кристалла в зависимости от глубины образования. Выход быстрой части электронов удовлетворительно описывается существующими аппроксимациями, в то время как выход всей совокупности электронов и тем более выход медленных электронов имеет более сложный вид.