Влияние дислокаций на спектры люминесценции теллурида цинка

В температурном диапазоне 4.2$-$77 K исследована фотолюминесценция чистых и легированных кристаллов ZnTe, а также после термообработки в парах исходных элементов. Показано, что в спектре люминесценции участков кристаллов, содержащих включения Те, в области ${E_{g}-200}$ мэВ возникает несколько групп узких линий, соответствующих дислокационному излучению. Линейчатая люминесценция наблюдалась в образцах после длительного отжига в жидком цинке или подвергнутых неупругим деформациям. Дислокации и соответствующие им узкие линии излучения возникают в легированных донорными и акцепторными примесями кристаллах теллурида цинка.