Изучение кинематической компоненты рассеяния рентгеновских лучей при лауэ-дифракции от различных плоскостей в тонких реальных кристаллах

При дифракции от плоскостей (111), (110), (112), (113), (100) измерены интегральные интенсивности лауэ-дифрагированных пучков в тонких (${\mu t\lesssim1}$) почти совершенных кристаллах кремния, а также образцах, содержащих дефекты структуры (кластеры, петли), возникающие при распаде пересыщенного твердого раствора кислорода. Для идеальных кристаллов получено удовлетворительное согласие теоретических и экспериментальных значений интенсивностей с учетом осцилляций волновых полей. Для кристаллов с дефектами обнаружен ярко выраженный максимум при ${\mu t\sim0.35}$ толщинных зависимостей логарифмов $I_{R}$. Показано, что применение теории Чуховского, развитой для случая дислокационных нетель, позволяет объяснить полученные в образцах с дефектами результаты, и аппроксимировать экспериментальные графики расчетной кривой для каждого отдельного рефлекса. Вся же совокупность данных по всем рефлексам, однако, не согласуется с закономерностями изменения статического фактора Дебая–Валлера при варьировании величины дифракционного вектора ${\mathbf g}$. Сделана попытка объяснить полученные результаты с помощью рассмотрения излучения сильно искаженным участком вблизи дефекта в упрощенной модели рассеяния идеально мозаичным кристаллом, что позволило получить непротиворечивые данные об изменении с варьированием ${\mathbf g}$ величины относительной объемной доли сильно искаженной решетки в кристаллах с дефектами.