Кинетика образования автосолитона в устойчивой разогретой плазме собственных полупроводников

Численно изучена кинетика образования автосолитона (АС) — уединенного устойчивого локализованного состояния, — которое можно возбудить в однородной устойчивой собственной электронно-дырочной плазме (ЭДП), разогретой электрическим полем. Выяснено, что АС можно возбудить внешним дополнительным локальным кратковременным разогревом лишь в ЭДП, для которой величина ${s=l/L}$, ($l$ и $L$ — длины релаксации энергии и диффузионная длина носителей) меньше некоторого критического значения ${\varepsilon_{c}\approx0.3}$, а параметры (амплитуда, размер и длительность) локального разогрева лежат в определенной области значений. Численно подтверждено, что устойчивый АС представляет собой область высокой температуры носителей и несколько пониженной их концентрации. Установлено, что при обычно реализующихся в полупроводниках значениях ${\varepsilon< 0.1}$ в центре образующегося АС может возникать интенсивная ударная межзонная ионизация, которая и ограничивает значение максимальной температуры носителей в АС.