Резонансное рассеяние и низкотемпературная подвижность электронов в бесщелевых растворах на основе HgTe

Рассчитана низкотемпературная подвижность электронов в бесщелевом полупроводнике, обусловленная резонансным рассеянием электронов на нейтральных акцепторах, уровни которых расположены в узкой окрестности вблизи уровня Ферми. Подвижность оказывается обратно пропорциональной плотности акцепторных состояний на уровне Ферми. Если концентрация доноров достаточно велика, то для расчета подвижности важно учитывать наличие в плотности акцепторных состояний кулоновской щели на уровне Ферми, обусловленной дальнодействующим характером кулоновского взаимодействия. При достаточно же малой концентрации доноров уровень Ферми расположен в хвосте акцепторной плотности состояний, а кулоновская щель на уровне Ферми отсутствует. Рассмотрен также случай большой концентрации акцепторов, когда акцепторные состояния на уровне Ферми делокализованы.