Исследование профиля повреждения в молибдене, облученном ионами фосфора в интервале энергий 5$-$20 кэВ

Методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) проведено изучение радиационной повреждаемости в молибдене вдоль пробега ионов фосфора в интервале энергий ${5\div20}$ кэВ, Показано, что во всех случаях образуются скопления междоузельных атомов, а при энергиях больше 10 кэВ в приповерхностном слое наблюдаются дефекты вакансионного типа. Определена пороговая энергия видимых в ПЭМ вакансионных скоплений, образованных на каскадах смещений, и средняя длина цепочки замещения в молибдене.