RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 1984, том 26, выпуск 5, страницы 1271–1276 (Mi ftt2856)

Сегнетоэлектрчество и структурные фазовые переходы в кристаллах семейства TlInS$_{2}$

Р. А. Алиев, К. Р. Аллахвердиев, А. И. Баранов, Н. Р. Иванов, Р. М. Сардарлы

Институт физики АН АзССР

Аннотация: Изучены температурные зависимости статической диэлектрической проницаемости, спонтанной поляризации и двупреломления монокристаллов $\beta$-TlInS$_{2}$, TlGaSe$_{2}$ и TlGaS$_{2}$. Показано, что при 300 K кристаллы TlInS$_{2}$ и TlGaSe$_{2}$ моноклинные, a TlGaS$_{2}$ — тетрагональные. Обнаружены диэлектрические и оптические аномалии, указывающие на наличие структурных фазовых переходов в TlGaSe$_{2}$ при ${T_{1}=119}$ K и ${T_{2}=107}$ K и в TlInS$_{2}$ при ${T_{1}=216}$ K. Кроме того, в TlInS$_{2}$ при ${T=204}$ K обнаружен сегнетоэлектрический фазовый переход (спонтанная поляризация ${\simeq0.2\,\text{мк~Кл/см}^{2}}$).

УДК: 537.226.33;548.0

Поступила в редакцию: 03.10.1983



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024