Энергия активации атомных скачков во вторую координацию в полупроводниках

Обсуждается гипотеза о «длинных» атомных перескоках в полупроводниковых материалах со структурой алмаза-сфалерита. Энергия активации скачков этого типа представлена в виде суммы упругого вклада и энергии, связанной с перестройкой межатомных связей. Упругий вклад вычислен на основе одного из вариантов флуктуационной модели. Результаты согласуются с экспериментальными данными по самодиффузии в Si, Ge, InAs, GaSb и примесной диффузии по механизму $E$-центров в Si.