Сегнетоэлектрические и диэлектрические свойства тонких пленок NaNO$_{2}$

Из расплава на алюминиевой подложке выращены тонкие пленки нитрита натрия толщиной в несколько микрон, имеющие монокристаллические области порядка 1 см$^{2}$. Исследованы $D{-}E$-петли гистерезиса при приложении переменного поля 50 Гц. Измерена диэлектрическая постоянная $\varepsilon_{b}$ вдоль сегнетоэлектрической оси $b$ при приложении переменного поля 10 Гц. Полученные пленки имеют такие же диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства, как и объемные монокристаллы NaNO$_{2}$. Установлено, что величина спонтанной поляризации тонких пленок несколько больше, чем для монокристаллов. Спонтанная поляризация ориентирована преимущественно перпендикулярно поверхности пленки.