Гидрирование дислокаций в кремнии при высоком давлении молекулярного водорода

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучена пассивация связанных с дислокациями глубоких донорных и акцепторных уровней в Si при обработке образцов в атмосфере молекулярного водорода. Обнаружено, что такая обработка приводит к насыщению дислокаций водородом, если давление водорода выше ${P_{\text{крит}}\simeq7}$ кбар. Существование $P_{\text{крит}}$ обусловлено наличием потенциального барьера порядка 1 эВ.