Глубокие уровни на дислокациях

В двухзонной модели рассмотрена задача о движении носителей заряда в кристалле в поле деформаций, создаваемых краевой дислокацией. Обнаружена группа глубоких уровней, число которых определяется соотношением между константой деформационного потенциала и шириной запрещенной зоны. В квазиклассическом приближении описаны волновые функции соответствующих локализованных состояний. С учетом классического концентрационного уширения найден вид плотности состояний носителей на дислокациях при всех значениях энергии.