Влияние процессов фонон-электронного рассеяния на формирование термоэдс увлечения чистых массивных монокристаллов висмута

Развита теория фононного увлечения в чистых массивных монокристаллах висмута в области гелиевых температур с учетом как реальной анизотропии электронного спектра, так и анизотропии фонон-электронного рассеяния. Показано, что в чистом висмуте фонон-фононные процессы оказывают заметное влияние на термоэдс фононного увлечения вплоть до температур порядка 0.9 K и определяют характер ее температурной зависимости при ${T> 3}$ K. Полученные результаты позволяют теоретически установить для чистого висмута соотношение между характерными температурами $T_{1}$, ниже которой фонон-электронное рассеяние становится доминирующим, и ${T_{0}\simeq2s\hbar p_{F}/k_{0}}$ и объяснить отсутствие на эксперименте плато в температурной зависимости термоэдс фононного увлечения.