Плотность электронно-дырочной плазмы, возбужденной в полупроводнике

Плотность электронно-дырочной плазмы (ЭДП), возбужденной в полупроводнике, определялась по величине сужения запрещенной зоны, обусловленного многочастичными взаимодействиями в плазме. Сужение запрещенной зоны $\Delta\varepsilon_{g}$ было получено из зависимости положения максимума спектра люминесценции от магнитного поля. Концентрации ЭДП, возбужденной в InSb, определенные из величины $\Delta\varepsilon_{g}$, совпадают со значениями, рассчитанными из формы спектров люминесценции. Найдена концентрация ЭДП в $n$-InSb в режиме стимулированного излучения, когда определение ее по форме линии люминесценции становится невозможным. Полученные результаты указывают на насыщение концентрации ЭДП в режиме стимулированного излучения, когда скорость рекомбинации контролируется изменением радиационного времени жизни.