Концентрация электрического поля в полидоменных сегнетоэлектриках

Показано, что во внешнем поле вблизи мест закрепления доменных границ на дефектах кристаллической решетки возникают области, в которых локальная напряженность электрического поля значительно превышает макроскопическую напряженность, — концентраторы электрического поля. Для линейных дефектов типа дислокаций, оси которых перпендикулярны спонтанной поляризации, фактор увеличения поля имеет порядок отношения среднего расстояния между дефектами к толщине доменной границы. Наличие концентраторов поля приведет к возбуждению носителей, излучательная релаксация которых вызовет свечение кристалла в процессе перестройки доменной структуры.