Энергия акцепторного уровня в полупроводниковом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле

Обнаружено большое отрицательное магнитосопротивление при низких температурах в $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с положительной щелью и ${N_{A}-N_{D}\simeq2.5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$. Показано, что этот эффект обусловлен увеличением концентрации свободных дырок вследствие уменьшения энергии ионизации акцептора с ростом магнитного поля. Полученная полевая зависимость энергии ионизации акцептора обсуждается с учетом влияния обменного взаимодействия носителей тока с $3d^{5}$-электронами ионов Mn$^{++}$ на энергетический спектр валентной зоны.