К теории анизотропии по знаку термоэдс фонон-фононного увлечения чистых массивных монокристаллов типа висмута

Развита теория фонон-фононного увлечения в чистых массивных полуметаллах с малой концентрацией носителей тока типа висмута как с учетом анизотропии рассеяния на фононах, так и поверхностного рассеяния. Показано, что экспериментально наблюдающаяся анизотропия знака термоэдс фононного увлечения связана как с анизотропией электрон-фононного рассеяния, так и с ориентацией изоэнергетических эллипсоидов по отношению к плоскостям, ограничивающим поверхность кристалла.