Спин-решеточная релаксация в аморфном кремнии

Методами импульсного и непрерывного насыщений исследована температурная зависимость скорости спин-решеточной релаксации (СPP) $T^{-1}_{1}$ парамагнитных дефектов с ${{\mathbf g}=2.0055}$, возникающих в кремнии, аморфизированном ионной имплантацией. Показано, что наблюдаемая при гелиевых температурах зависимость ${T^{-1}_{1}=AT^{2}}$ не связана с наличием «фононного узкого горла» в СРР. В интервале ${T= 1.8\div300}$ K температурная зависимость $T^{-1}_{1}$ имеет аномальный по сравнению с парамагнитными центрами в монокристаллах вид и может быть одинаково удовлетворительно объяснена участием в СРР так называемых «двухуровневых систем», либо «прыжков с переменной длиной» локализованных электронов. Представлены аргументы в пользу преимущества последнего механизма СРР по сравнению с первым.