Об увлечении экситонов в пьезополупроводниках в режиме генерации звука

Рассмотрено увлечение свободных экситонов звуковой волной, генерируемой в пьезоэлектрическом кристалле при наличии внешнего электрического поля. Показано, что при экспериментально доступных интенсивностях звука дрейфовая скорость экситонов может быть достаточно велика — так, что возможно дрейфовое проникновение экситонов от передней (облучаемой возбуждающим светом) поверхности образца к задней. Предлагается использовать эксперименты такого типа для изучения акустоэлектрической неустойчивости.