Акустоэлектронное взаимодействие в $n$-Si

Исследовано влияние свободных электронов на скорость и поглощение звука в $n$-Si с примесью Р, As, Sb и концентрацией ${n=10^{14}}$, ${2\cdot10^{18}}$ и $10^{19}\,\text{см}^{-3}$ в температурном интервале 78$-$300 K. По данным измерений определена константа деформационного потенциала $\Xi_{u}$ и времена междолинной релаксации. Обнаруженная зависимость времени междолинной релаксации от типа примеси приписывается рассеянию на ионизованных примесях.