Взаимодействие звука с дырками в $p$-Si

Исследовано влияние свободных дырок на упругие модули и поглощение звука в $p$-Si. Теоретически рассмотрен вклад дырок в упругие модули с учетом трех зон. Показано, что пренебрежение влиянием спин-отщепленной зоны приводит к занижению величины эффекта на порядок. Экспериментально измерены изменения упругих модулей в $p$-Si с примесью В (${p= 2\cdot10^{14}}$, ${4.5\cdot10^{18}}$, ${1.2\cdot10^{19}}$, ${6\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$). Получено хорошее согласие теории и эксперимента при значениях констант деформационного потенциала ${b=1.2}$ эВ и ${d=2.7}$ эВ. Измерены температурные зависимости коэффициента поглощения звука в тех же образцах в интервале температур 73$-$300 K. По результатам измерений вычислены времена релаксации дырок и их концентрационная зависимость.