Поглощение ультразвука в компенсированном $n$-InSb при низких температурах

Исследовано поглощение пьезоактивных ультразвуковых волн частотой ${30\div500}$ МГц в сильно компенсированном $n$-InSb, легированном хромом и марганцем, в магнитном поле до 10000 Э в температурном интервале ${4.2\div100}$ K. Из зависимостей коэффициента поглощения от магнитного поля, частоты ультразвука и температуры определены концентрация носителей тока в зоне проводимости, зависимость электропроводности $\sigma_{xx}$ от магнитного поля, энергия активации глубокого уровня хрома.