Эффективность возбуждения люминесценции и спектры отражения Bi$_{4}$Ge$_{3}$O$_{12}$ в области 3$-$40 эВ

Представлены результаты исследования спектров возбуждения люминесценции и отражения кристаллов Bi$_{2}$Ge$_{3}$O$_{12}$ (структура эвлитина) с исползьованием синхротронного излучения накопителя ВЭПП-2М. Методом Крамерса–Кронига проведен расчет оптических постоянных. Оценена ширина запрещенной зоны ${E\simeq4.8}$ эВ при 295 K. Предполагается, что край фундаментального поглощения формируется экситонными состояниями. В спектрах фото- и рентгенолюминесценции наблюдается широкая полоса с максимумом 2.45 эВ, спектр возбуждения которой охватывает область фундаментального поглощения и не имеет селективных полос в области прозрачности кристалла. При ${h\nu> 10}$ эВ происходит резкое увеличение выхода люминесценции, что интерпретируется как проявление эффекта фотонного умножения. Обсуждаются механизмы размножения электронных возбуждений, а также природа свечения 2.45 эВ (автолокализованные экситоны, собственные дефекты решетки).