Структура примесной зоны в бесщелевых соединениях типа Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Теоретически исследуется структура примесной зоны бесщелевого полупроводника. При произвольном соотношении между концентрацией доноров и акцепторов рассчитано положение уровня Ферми. Эта задача отличается от аналогичной задачи для обычных полупроводников тем, что в бесщелевом полупроводнике кроме доноров и акцепторов имеется электронный газ, наличие которого следует учитывать в условии электронейтральности. Подробно рассмотрены случаи слабой и сильной компенсации.