Экспериментальное исследование релаксации и механизм избыточной электропроводности при движении дислокаций в монокристаллах ZnSe

Описан характер релаксации избыточной электропроводности, вызванной собственно движением дислокаций в высокоомных кристаллах селенида цинка. Характерное время релаксации совпало со временем максвелловской релаксации объемного заряда. Предложена физическая модель возникновения и релаксации избыточной электропроводности, позволяющая провести количественное сравнение экспериментальных и расчетных данных.