Влияние радиационных дефектов на эмиссионные свойства легированных галоидов цезия и их твердых растворов

Исследовано влияние радиационных дефектов на величину коэффициента вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ) и ионную проводимость (ИП) слоев CsI$-$Cd, CsBr$-$Cd, CsI$-$CsBr, КСl. Методами ВЭЭ, ИП и термостимулированной экзоэлектронной эмиссии (ТСЭЭ) исследована их радиационная стойкость (PC) при электронном и ультрафиолетовом (УФ) облучениях. Изучено влияние дозы УФ и электронного облучения, плотности электронного потока, температуры слоев $T_{c}$, а также их термического отжига после облучения на КВЭЭ. Исследования показали, что легированные Cd$^{2+}$ слои CsBr, CsI обладают большей радиационной стойкостью, чем нелегированные. Сравнительные исследования PC КСl, CsI$-$Cd, CsBr$-$Cd, CsI$-$CsBr определили, что слои CsI$-$Cd наиболее радиационно стойкие. Облучение при повышенных температурах (${T_{c}\leqslant200^{\circ}}$С) электронами и УФ приводит в конечном счете к меньшим радиационным повреждениям, а отжиг после облучения частично восстанавливает КВЭЭ. Степень восстановления зависит от дозы и вида облучения. Результаты анализируются на основе экситонного механизма образования радиационных дефектов и их отжига.