Аннотация:
Рассмотрена динамика решетки модели структурного перехода с дефектами. Развит микроскопический подход на основе метода самосогласованных фононов и приближения когерентного потенциала. Получена температурная и концентрационная зависимости частоты мягкой фононной моды и ее затухания для дефектов различных типов. Обсуждается влияние дефектов на фазовый переход в квантовых сегнетоэлектриках.