Вторичные процессы в создании и отжиге радиационных дефектов в KBr

Абсорбционным методом исследованы создание и отжиг долгоживущих дефектов Френкеля в КВr в области 4.2$-$80 K в зависимости от дозы поглощенной радиации. Получены новые проявления вторичных процессов взаимодействия первичных дефектов друг с другом и с электронными возбуждениями, в том числе: наличие стадии отжига $H$- и $F$-центров при $12{-}15$ K обусловлено рекомбинацией реориентирующихся $H$-центров с $F$-центрами соседних $F$-, $H$-пар; резкий спад (начиная с 10 K) эффективности радиационного создания $H$-, $V_{K}$ и $F$-центров в области подвижности $I$-центров, а не $H$-центров, обусловлен захватом электронов неподвижными $H$-центрами с последующим превращением их в подвижные $I$-центры. Проявление вторичных процессов обсуждено с учетом роли вторичных комбинаций дефектов ($F$-, $H$-, $V_{K}$-троек).