Электромеханические эффекты при кручении и изгибе кристаллов Gd$_{2}$(MoO$_{4}$)$_{3}$ с регулярной доменной структурой

В кристаллах сегнетоэластиков-сегнетоэлектриков, подвергаемых простым неоднородным деформациям, формируются регулярные доменные структуры, в которых доменные стенки отклоняются от упругокогерентных ориентаций. Перестройка таких структур под влиянием внешних факторов приводит к электромеханическим эффектам: прямому — изменению заряда на полярных гранях кристалла при изменении его неоднородной деформации и обратному — изменению величины неоднородной деформации (или внешнего механического момента) под действием однородного электрического поля, приложенного вдоль полярной оси кристалла. Оба эффекта являются четными по отношению к перемене знака внешнего воздействия в отличие от известных эффектов переполяризации сегнетоэластиков-сегнетоэлектриков при однородных механических и электрических воздействиях.