Влияние когерентных световых пучков на свободные носители в полупроводниках

Рассмотрен полупроводник, поверхность ${x=0}$ которого освещается несколькими когерентными пучками световых волн. В направлении $oz$ к полупроводнику приложено постоянное во времени электрическое поле, греющее электроны. Принято, что световые волны не изменяют общего числа электронов ${\hbar\omega<\varepsilon_{g}}$, но перераспределяют их в объеме. Кроме того, интерференция волн модулирует вероятность рассеяния электронов, поглощаемую ими мощность и вызывает световое давление на электронный газ. Получено кинетическое уравнение задачи с учетом указанных факторов. Решение определило образование в полупроводнике статической и высокочастотной сверхрешеток электронной концентрации, электронной температуры и дополнительного электрического поля. Обсуждены некоторые возможности обнаружения эффектов, обусловленных образованием сверхрешеток и определения их параметров.