О влиянии размытия тонкой структуры плотности состояний на электронные свойства Pt

На примере Pt исследуется влияние фононного и примесного рассеяния электронов на кривую плотности состояний $g(\varepsilon)$. Показано, что оценка величины размытия тонкой структуры $g (\varepsilon)$ через транспортное время релаксации не согласуется с экспериментально наблюдаемым изменением парамагнитной восприимчивости, теплоемкости и скорости спин-решеточной релаксации для Pt в зависимости от температуры и концентрации примеси. Напротив, учет прямого влияния особенностей $g(\varepsilon)$ на температурную зависимость перечисленных свойств дает хорошие результаты.