Создание и отжиг изолированных пар френкелевских дефектов в KCl$-$Rb

Для кристаллов KCl$-$Rb обнаружена излучательная аннигиляция околопримесных экситонов (свечение 2.6 эВ) и низкотемпературный безызлучательный распад создаваемых фотонами 7.6 эВ околопримесных экситонов с рождением анионных вакансий и интерстициалов. Отжиг изолированных друг от друга пар дефектов с разными междефектными расстояниями в паре осуществляется при 17, 22, 27, 31 и 34 K. Отжигаемые при ${25\div35}$ K $\alpha,I$-пары возникают при распаде околопримесных электронных возбуждений с рождением стабильных до 38 K $F$-, $H$-пар и их последующей туннельной перезарядке.