Стратификация объемного заряда при экранировании поля в кристаллах

Экспериментально и теоретически исследовано явление стратификации свободного и связанного зарядов (стратификация объемного заряда), возникающее при наложении электрического поля на полупроводник с глубокими центрами захвата и при наличии в нем первоначально однородной неравновесной плазмы. Оно заключается в появлении областей с переменной плотностью основных носителей и в образовании многослойной знакопеременной структуры связанного заряда, слои которой двигаются в направлении, противоположном направлению дрейфа основных носителей. Стратификация объемного заряда приводит к существенному изменению электрических свойств полупроводника.