Параэлектрический резонанс локализованных электрических диполей Al${-}$O$^{-}$ в кварце
А. Б. Ройцин,
А. Б. Брик,
С. С. Ищенко,
И. В. Матяш,
А. С. Литовченко Институт полупроводников АН УССР
Аннотация:
Развита теория параэлектрического резонанса (ПЭР) для локализованных систем. Получены выражения резонансных полей и вероятностей переходов для центров с симметрией
$C_{2v}$. Показано, что они описываются параметрами
$\Delta$,
$\alpha_{21}$,
$\alpha_{3}$, характеризующими туннельное расщепление, его изменение электрическими полями и дипольный момент центра. Установлено, что вероятность индуцированного перехода для локализованных центров на несколько порядков меньше, чем для делокализованных, а форма их резонансных линий определяется функцией распределения внутренних электрических полей, порожденных дефектами кристалла. Эксперименты выполнены в трехсантиметровом диапазоне длин волн при
${T=4.2}$ K на Al
${-}$O
$^{-}$ центрах в синтетическом кварце (образец
1), в природном дымчатом кварце (образец
2) и в природном кварце из так называемых морионов (образец
3). Из сопоставления теории и эксперимента установлено, что центры Al
${-}$O
$^{-}$ в кварце локализованы, эффективное туннельное расщепление
${\Delta^{*}=\Delta+\alpha_{21}}E_{z}$ для них порядка
$10^{6}$ Гц,
${\alpha_{3}=4.1}$ Дебай, а
${\alpha_{21}\ll\alpha_{3}}$. Показано, что функция распределения дефектных полей в кварце является гауссианом. Найдено, что параметр этого гауссиана для образцов {\it 1, 2
УДК:
537.1 539.2
Поступила в редакцию: 25.04.1984