Температурно-полевая зависимость времени развития пробоя аморфного оксида тантала

Установлена экспоненциальная зависимость времени развития пробоя аморфного оксида тантала от напряженности электрического поля и температуры. Высказана гипотеза о термофлуктуационном механизме пробоя, предполагающем облегченную электрическим полем термическую ионизацию глубоких донорных центров и накопление в оксидных слоях заряда.