Спектры излучательной рекомбинации пластически деформированного селенида галлия

Проведены электронно-микроскопические исследования образцов слоистого полупроводника селенида галлия, пластически продеформированного методом четырехточечного изгиба при 300 и 4.2 K. В образцах, деформированных при низкой температуре, обнаружены полосы скольжения, соответствующие движению дислокаций в пирамидальных плоскостях. Показано, что как базисное, так и пирамидальное пластическое течение приводит к перестройке спектра излучения селенида галлия. Движение базисных дислокаций приводит к возникновению дефектов, на которых связываются экситоны с энергией связи 17 мэВ, при пирамидальном характере течения возникают дефекты, приводящие к появлению в спектре излучения интенсивных длинноволновых линий.