Энергия локализации экситонов Ванье–Мотта на границе раздела двух сред

Для анизотропных полупроводников вариационным методом вычислена энергия основного состояния экситонов Ванье–Мотта, локализованных силами электростатического изображения на границе раздела двух сред. Построена диаграмма существования поверхностных экситонных состояний в зависимости от диэлектрических и зонных характеристик полупроводника и подложки.