Механизмы миграции компонентов и примесей в Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te

На основании анализа зависимостей коэффициентов диффузии и поверхностных концентраций компонентов и примесей от давления пара ртути в Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te проведена идентификация механизмов миграции и внедрения. Установлено, что при высоком давлении пара ртути имеет место межузельный, а при низком — вакансионный механизм миграции ртути; быстрый диффузионный перенос осуществляется однократно, медленный — двукратно заряженными точечными дефектами. Самодиффузия теллура происходит по вакансионному, посредством двукратно заряженных вакансий теллура, и по межузельному, посредством нейтральных межузельных атомов, механизмам при высоком и низком давлении пара ртути соответственно. Медленная диффузия меди, серебра, золота, быстрая — индия, а также диффузия фосфора и сурьмы происходят по диссоциативному или эстафетному механизмам миграции. Медленная диффузия индия осуществляется по вакансионному механизму посредством нейтральных вакансионных пар $(V_{\text{Hg}}V_{\text{Te}})^{x}$, диффузия олова — по вакансионному механизму с помощью нейтральных вакансий ртути и вакансионных пар $(V_{\text{Hg}}V_{\text{Te}})^{x}$. Предложен механизм быстрой составляющей диффузионного потока меди, серебра, золота. Показано, что механизм внедрения индия и олова в Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te определяется условиями равновесия фаз в системе Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te$-$In(Sn), Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te$-$In$_{2}$Te$_{3}$(SnTe) — при высоком и низком давлении пара ртути соответственно. Установлено, что растворимость фосфора и сурьмы определяется нейтральными примесными комплексами $($P$_{\text{Hg}}$P$_{\text{Te}})^{x}$, $($Sb$_{\text{Hg}}$Sb$_{\text{Te}})^{x}$, а диффузионный перенос — однократно заряженными межузельными атомами P$'_{i}$, Sb$'_{i}$.