Аннотация:
Измерена энергетическая зависимость степени циркулярной поляризации фотолюминесценции горячих электронов в кристаллах GaAs. С учетом гофрировки валентной зоны проведен расчет формы линии люминесценции при рекомбинации электронов из точки рождения, а также деполяризации фотолюминесценции в результате прецессии их спинов в эффективном магнитном поле, связанном со спиновым расщеплением зоны проводимости. Из сопоставления результатов эксперимента и расчета получены значения параметра, определяющего величину спинового расщепления.