Роль поглощения света в динамике формирования фотоиндуцированных зарядов

Построена теория динамики формирования фотоиндуцированного объемного заряда в фоторефрактивных кристаллах при произвольных значениях коэффициента поглощения света. Показано, что при сильной нелинейности по электрическому полю по толщине образца возникают три области (по мере удаления от отрицательного электрода). Первая из них, сужающаяся во времени, представляет собой ступеньку положительного заряда ионизованных доноров. На задней границе ступеньки внешнее электрическое поле практически полностью экранируется. Во второй области имеется отрицательный заряд фотоэлектронов, возрастающий с координатой по экспоненциальному закону. Здесь поле начинает возрастать с ростом координаты, но остается малым по сравнению с внешним. Это область узкого горла для протекания фототока. В третьей области отрицательный заряд начинает падать, а поле возрастает по корневому закону, что соответствует режиму токов, ограниченных пространственным зарядом. Со временем третья область вытесняется к положительному электроду, поле на нем падает, так что область узкого горла постепенно начинает занимать практически всю толщину образца от задней границы ступеньки положительного заряда до положительного электрода. Выводы теории качественно подтверждаются известными экспериментальными данными.