Поглощение света глубокими дислокационными состояниями в кремнии

С целью выяснения природы электронных состояний в кремнии с дислокациями проведены совместные исследования методами оптического поглощения, DLTS и ЭПР. В спектре поглощения пластически деформированного Si обнаружены три типа оптических переходов: переход из нижней зоны дислокационных оборванных связей ${E_{v}+0.4}$ эВ в зону проводимости с эффективным сечением поглощения фотона ${\alpha= 1.6\cdot10^{-17}\,\text{см}^{2}\cdot\text{эВ}^{-0.5}}$; переход 0.98 эВ между локальными состояниями дефектов, рожденных движущейся дислокацией; переход типа уровень–зона, возможно, обусловленный возбуждением электрона из состояний поверхностных дефектов микро- и макротрещин ${E_{v}+0.62}$ эВ в зону проводимости.