RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 1986, том 28, выпуск 1, страницы 230–234 (Mi ftt34)

Поглощение света глубокими дислокационными состояниями в кремнии

А. В. Баженов, В. В. Кведер, Л. Л. Красильникова, А. И. Шалынин

Институт физики твердого тела А Н СССР Черноголовка, Московская область

Аннотация: С целью выяснения природы электронных состояний в кремнии с дислокациями проведены совместные исследования методами оптического поглощения, DLTS и ЭПР. В спектре поглощения пластически деформированного Si обнаружены три типа оптических переходов: переход из нижней зоны дислокационных оборванных связей ${E_{v}+0.4}$ эВ в зону проводимости с эффективным сечением поглощения фотона ${\alpha= 1.6\cdot10^{-17}\,\text{см}^{2}\cdot\text{эВ}^{-0.5}}$; переход 0.98 эВ между локальными состояниями дефектов, рожденных движущейся дислокацией; переход типа уровень–зона, возможно, обусловленный возбуждением электрона из состояний поверхностных дефектов микро- и макротрещин ${E_{v}+0.62}$ эВ в зону проводимости.

УДК: 546.28:535.3

Поступила в редакцию: 14.02.1985
Исправленный вариант: 17.07.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024